石墨嵌鋰行為的第一性原理計算研究

編號：FTJS03193

篇名：石墨嵌鋰行為的第一性原理計算研究

作者：胡軍平； 歐陽楚英； 雷敏生；

關鍵詞：石墨； 第一性原理； 電子結構； 平均嵌鋰電壓；

機構： 江西師范大學物理與通信電子學院； 江西省光電子重點實驗室；

摘要： 采用基于密度泛涵理論的第一性原理贗勢法對石墨晶體嵌鋰的幾何結構、電子結構和平均嵌入電壓進行了比較系統(tǒng)的研究。研究表明,雙層石墨通過改變C-C層間距和C-C鍵長來達到最穩(wěn)定的狀態(tài)。電子結構分析表明,石墨及嵌鋰石墨是良好的導體。隨著石墨嵌鋰數的增加,平均嵌入電壓降低,當嵌鋰狀態(tài)達到Li6C 36時,其平均嵌入電壓接近0 V,說明LiC 6是石墨嵌鋰的理論極限,結果和實驗吻合。