半導(dǎo)體制造用碳化硅粉體偶聯(lián)劑表面改性

編號：FTJS03152

篇名：半導(dǎo)體制造用碳化硅粉體偶聯(lián)劑表面改性

作者：鐵生年； 李星；

關(guān)鍵詞：碳化硅； 表面改性； KH-550硅烷偶聯(lián)劑； 分散性；

機(jī)構(gòu)： 青海大學(xué)非金屬材料研究所；

摘要： 采用KH-550硅烷偶聯(lián)劑對SiC粉體進(jìn)行表面改性,通過單因素實(shí)驗(yàn)及正交試驗(yàn)確定出改性過程最優(yōu)化工藝參數(shù):反應(yīng)溫度90℃,反應(yīng)時間4h,KH-550硅烷偶聯(lián)劑用量1.5g,并通過掃描電鏡、X射線衍射儀、紅外光譜儀、激光粒度分析儀對制備的改性粉體進(jìn)行表征,分析改性對SiC料漿分散穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明,SiC微粉經(jīng)偶聯(lián)劑處理后沒有改變原始SiC微粉的物相結(jié)構(gòu),只是改變了其在水中的膠體性質(zhì);中位徑d0.5略有減小,粒度分度分布范圍變窄,掃描電子顯微鏡(SEM)顯示微粉團(tuán)聚現(xiàn)象減少,分散性得到改善;改性SiC微粉與原始SiC微粉相比,表面特性發(fā)生了很大變化,在酸性條件下Zeta電位有顯著的提高,pH值為3.78時,Zeta電位獲得最高正電位為41mV,懸浮液的分散穩(wěn)定性得到明顯改善。