LPCVD制備二氧化硅薄膜工藝研究

編號：FTJS03145

篇名：LPCVD制備二氧化硅薄膜工藝研究

作者：王儉峰； 佟麗英； 李亞光； 李秀強；

關(guān)鍵詞：TEOS源； LPCVD； 淀積速率； 均勻性；

機構(gòu)： 中國電子科技集團公司第四十六研究所；

摘要： 采用TEOS源LPCVD法制備了SiO2薄膜,采用膜厚儀對薄膜的厚度進行測試。通過不同條件下SiO2薄膜的厚度變化,討論了TEOS源溫度、反應(yīng)壓力及反應(yīng)溫度等工藝條件對淀積速率和均勻性的影響。結(jié)果表明,在40℃,50 Pa左右,淀積速率隨TEOS源溫度、反應(yīng)壓力基本呈線性增大.通過多次試驗改進,提出了SiO2膜淀積的典型工藝條件。