基于氧化工藝的二氧化硅層厚度的研究

編號：FTJS03140

篇名：基于氧化工藝的二氧化硅層厚度的研究

作者：劉歡； 王健； 李金鳳；

關(guān)鍵詞：氧化； 二氧化硅； 厚度控制；

機(jī)構(gòu)： 沈陽化工大學(xué)；

摘要： 氧化工藝是集成電路工藝流程中一項(xiàng)重要工藝。本文對熱氧化生成的二氧化硅層厚度進(jìn)行了理論計(jì)算和實(shí)際測定,并列出了6個樣品的干氧和濕氧時間、理論計(jì)算值、實(shí)際測值及產(chǎn)生的誤差值,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明利用本文中的工藝參數(shù)能達(dá)到較好的工藝效果。