Si基稀土Er_2O_3薄膜材料特性及制備研究進(jìn)展

編號：CPJS01406

篇名：Si基稀土Er_2O_3薄膜材料特性及制備研究進(jìn)展

作者：陳長春； 劉江峰； 余本海； 王林；

關(guān)鍵詞：Si基Er2O3薄膜； 能帶帶隙； X射線光電子譜(XPS)； 光學(xué)常數(shù)； 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)；

機(jī)構(gòu)： 信陽師范學(xué)院物理電子工程學(xué)院；

摘要： Si基Er2O3薄膜材料具有帶隙寬、k值高等特點(diǎn),在微電子和光電子領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。首先,闡述了Si基Er2O3薄膜材料的晶體結(jié)構(gòu)具有多態(tài)現(xiàn)象,而立方晶形的Er2O3具有方鐵錳礦立方結(jié)構(gòu),易制成高度擇優(yōu)取向的薄膜甚至單晶膜。其次,介紹了利用X射線光電子譜(XPS)技術(shù)確定Er2O3和Si兩種材料的價(jià)帶和導(dǎo)帶偏移及采用光電子譜來確定高k介質(zhì)材料能帶帶隙。此外,還介紹了Si基Er2O3薄膜材料光學(xué)常數(shù)的測試方法及其光譜轉(zhuǎn)換特性,可用于太陽光伏電池。最后,著重介紹了國內(nèi)外Si基Er2O3薄膜材料制備方面的最新研究進(jìn)展,并指出金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)是未來產(chǎn)業(yè)化制備Si基Er2O3薄膜材料的理想選擇。