聚乙撐二氧噻吩/二氧化硅復(fù)合材料制備及導(dǎo)電性研究

編號：CPJS01361

篇名：聚乙撐二氧噻吩/二氧化硅復(fù)合材料制備及導(dǎo)電性研究

作者：湯翠紅； 程斌；

關(guān)鍵詞：乙撐二氧噻吩； 二氧化硅； 電導(dǎo)率； 復(fù)合材料；

機(jī)構(gòu)： 北京化工大學(xué)新型高分子材料的制備與加工北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；

摘要： 以表面含磺酸基團(tuán)的改性二氧化硅納米微球?yàn)樘盍?以三氯化鐵(FeCl3)為氧化劑,對甲苯磺酸鈉(TSANa)為摻雜劑,氧化聚合乙撐二氧噻吩(EDOT),制備了具有良好導(dǎo)電性的PEDOT/SiO2復(fù)合材料。并利用X射線光電子能譜(XPS)、掃描電子顯微鏡(SEM)和四探針等手段進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:當(dāng)FeCl3與EDOT的摩爾比為0.8,TSANa的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%,反應(yīng)時(shí)間為4 h,得到的復(fù)合材料具有較高的電導(dǎo)率。