ATO粉體的制備工藝及其導電性能的研究

編號：CPJS01326

篇名：ATO粉體的制備工藝及其導電性能的研究

作者：尹大鵬； 朱協(xié)彬； 汪海濤；

關(guān)鍵詞：粉體； ATO； 化學共沉淀法； 電導率；

機構(gòu)： 安徽工程大學安徽省高性能有色金屬材料重點實驗室；

摘要： 以SnCl4·5H2O和SbCl3為原料,采用化學共沉淀法制備納米ATO粉體,考察了pH值、氨水體積比、銻的摻雜量、煅燒溫度及煅燒時間對粉體導電性能的影響.運用DDS-12A型數(shù)顯電導率儀測試了ATO粉體的電導率,運用了X射線衍射（XRD）、掃描電鏡（SEM）等測試方法對粉體的晶型、粒徑及形貌進行了表征.研究結(jié)果表明,氨水體積比為1:3,pH值為8,煅燒溫度600℃,煅燒時間4h時所制備的納米ATO粉體電導率值最大,即導電性能最佳.