環(huán)氧樹(shù)脂/SiO_2空心球低介電常數(shù)材料的制備與性能研究

編號(hào)：CPJS01323

篇名：環(huán)氧樹(shù)脂/SiO_2空心球低介電常數(shù)材料的制備與性能研究

作者：張翠翠； 周宏； 朱君；

關(guān)鍵詞：SiO2空心球； 環(huán)氧樹(shù)脂； 介電常數(shù)； 介質(zhì)損耗； 復(fù)合材料； 熱性能；

機(jī)構(gòu)： 哈爾濱理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；

摘要： 以正硅酸乙酯為前驅(qū)體,采用模板法制備了粒徑為50 nm左右的SiO2空心球,并將其摻入到環(huán)氧樹(shù)脂中,制備了EP/SiO2空心球納米復(fù)合材料。采用傅立葉變換紅外光譜(FT-IR)、掃描電子顯微鏡(SEM)、熱重分析(TGA)和精密阻抗分析儀分別對(duì)復(fù)合材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)、斷面形貌、熱穩(wěn)定性及介電性能進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:在摻雜量不大于10%范圍內(nèi),EP/SiO2空心球納米復(fù)合材料的介電常數(shù)隨電場(chǎng)頻率的升高而逐漸降低,相同測(cè)試頻率下,復(fù)合材料的介電常數(shù)隨納米SiO2含量的增加而降低;復(fù)合材料的介質(zhì)損耗(tanδ)隨著頻率的增加而增加,在102～104Hz,復(fù)合材料的tanδ均大于純EP;在104～106Hz,復(fù)合材料的tanδ均小于純EP;復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性稍有改善。