模板劑去除方法對介孔氧化硅納米球的影響

編號：NMJS02909

篇名：模板劑去除方法對介孔氧化硅納米球的影響

作者：徐虹； 李延報； 陸春華； 李東旭； 許仲梓；

關(guān)鍵詞：介孔氧化硅； 納米球； 模板劑；

機構(gòu)： 南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院材料化學(xué)工程國家重點實驗室；

摘要： 以十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)為模板劑,正硅酸四乙酯(TEOS)為硅源,在堿性條件下反應(yīng),分別采用煅燒法和酸化乙醇回流萃取法去除氧化硅中的模板劑,獲得了直徑為100nm分布均勻的六方有序的介孔氧化硅納米球(MSN)。通過熱失重分析(TGA)、透射電子顯微鏡(TEM)、小角度X射線衍射(SAXRD)和氮氣吸附-脫附對MSN中CTAB的殘余量和介孔結(jié)構(gòu)進行了表征。結(jié)果表明:煅燒法能夠徹底去除模板劑,萃取法只能去除80%左右的模板劑;隨著萃取時間的延長和萃取次數(shù)的增加,MSN的孔徑和孔容有所增加,其中6h回流萃取4次去除模板劑后得到的MSN的比表面積、孔容、孔徑最大,分別為944.31m2.g-1、1.89cm3.g-1和2.56nm。