短波紅外納米PbSe薄膜制備及光電性能研究

編號：NMJS02809

篇名：短波紅外納米PbSe薄膜制備及光電性能研究

作者：姚官生； 司俊杰； 陳鳳金； 孟超；

關(guān)鍵詞：硒化鉛； 化學(xué)浴沉淀； 光導(dǎo)探測器； 光譜響應(yīng)；

機(jī)構(gòu)： 中國空空導(dǎo)彈研究院；

摘要： 采用化學(xué)沉淀的方法在石英襯底上制備了短波紅外納米PbSe薄膜。XRD,SEM,TEM以及紅外透射光譜測試分析結(jié)果表明,所制備的PbSe薄膜為納米多晶薄膜,表面平整致密,薄膜的晶粒尺寸為10 nm左右,由于量子效應(yīng),薄膜吸收截止邊相對PbSe體材料藍(lán)移至1.6μm;經(jīng)過敏化、光刻及金屬化制備了PbSe單元光導(dǎo)探測器,在室溫下進(jìn)行光譜測試,其響應(yīng)波段為0.6~1.5μm。