大氫稀釋逐層法制備納米硅薄膜

編號(hào)：NMJS02766

篇名：大氫稀釋逐層法制備納米硅薄膜

作者：王祥；

關(guān)鍵詞：納米硅薄膜； 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)； 逐層法；

機(jī)構(gòu)： 韓山師范學(xué)院；

摘要： 如何制備高密度、分布可控、尺寸一致的納米硅量子點(diǎn),是各種納米器件研究中首先需要解決的問題。在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)中,用大氫稀釋逐層淀積技術(shù)在氮化硅表面上自組裝生長(zhǎng)高密度、尺寸均勻的硅量子點(diǎn)結(jié)構(gòu),這種方法充分利用了氫氣等離子體在薄膜淀積中誘導(dǎo)晶化作用和對(duì)非晶結(jié)構(gòu)的選擇刻蝕作用,能夠在低襯底溫度的條件下,直接獲得較為理想的納米硅薄膜。