Co:CdS半導體納米晶的合成、晶體結構及光學性質

編號：NMJS02739

篇名：Co:CdS半導體納米晶的合成、晶體結構及光學性質

作者：李園利； 謝瑞士； 余萍；

關鍵詞：CdS； 摻雜； 半導體納米晶； 水相合成技術； 光學性質；

機構： 四川大學材料科學與工程學院；

摘要： 利用水相合成技術,以巰基乙酸(MAA)為穩(wěn)定劑,合成了Co:CdS半導體納米晶。XRD結果表明,得到的摻雜納米晶為閃鋅礦結構,平均粒徑約為3.9 nm;FT-IR結果表明,MAA成功包覆在Co:CdS納米晶的表面;UV-vis吸收譜表明,Co離子成功摻入CdS晶格中;PL結果表明,摻雜離子濃度過大會導致CdS發(fā)光淬滅;并討論了相關機理。