氧化鋅納米結(jié)構(gòu)的電化學(xué)控制制備及其光致發(fā)光性能

編號(hào)：NMJS02725

篇名：氧化鋅納米結(jié)構(gòu)的電化學(xué)控制制備及其光致發(fā)光性能

作者：張?chǎng)��?賀永寧； 周成波； 崔吾元；

關(guān)鍵詞：氧化鋅； 納米結(jié)構(gòu)； 電化學(xué)法； 光致發(fā)光；

機(jī)構(gòu)： 西安交通大學(xué)理學(xué)院； 西安交通大學(xué)電信學(xué)院；

摘要： 利用電化學(xué)沉積法,通過調(diào)節(jié)電解液濃度、時(shí)間、溫度等因素,在氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電玻璃上制備了形貌不同的氧化鋅(ZnO)納米薄膜.通過X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡、光致發(fā)光譜等測(cè)試手段對(duì)不同形貌的ZnO納米薄膜進(jìn)行了表征和研究.研究表明,在高于閾值電壓的情況下氧化鋅薄膜迅速生成,微觀形貌主要受電解質(zhì)溶液的濃度影響,隨著電解質(zhì)濃度的升高可分別獲得胞芽狀、棒狀、片層狀結(jié)構(gòu),結(jié)合晶體生長(zhǎng)理論探討了不同形貌ZnO薄膜的成因.室溫光致發(fā)光譜顯示片狀的ZnO納米薄膜在近帶邊有較強(qiáng)的寬化激發(fā)峰,而可見區(qū)的發(fā)光峰受到明顯抑制,這一結(jié)構(gòu)有望應(yīng)用于光電器件、傳感器等領(lǐng)域.