正電子湮沒技術(shù)在納米材料中的應(yīng)用

編號：NMJS02676

篇名：正電子湮沒技術(shù)在納米材料中的應(yīng)用

作者：曾小川； 宋武林； 周玉華； 謝長生；

關(guān)鍵詞：正電子湮沒； 納米材料； 微結(jié)構(gòu)； 缺陷；

機構(gòu)： 華中科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院模具技術(shù)國家重點實驗室； 華中科技大學(xué)分析測試中心；

摘要： 納米材料在現(xiàn)實應(yīng)用中表現(xiàn)出越來越優(yōu)異的性能,其微結(jié)構(gòu)往往對宏觀性能有著重要影響。從正電子湮沒技術(shù)基本原理出發(fā),結(jié)合正電子湮沒技術(shù)在材料微觀結(jié)構(gòu)領(lǐng)域的獨特優(yōu)勢,介紹了其在納米金屬、合金以及納米半導(dǎo)體等材料中的微結(jié)構(gòu)研究工作,闡述了納米材料微結(jié)構(gòu)對基礎(chǔ)學(xué)科和實際應(yīng)用的重要意義。