強(qiáng)磁場(chǎng)條件制備ZnO納米線(xiàn)研究

編號(hào)：NMJS02655

篇名：強(qiáng)磁場(chǎng)條件制備ZnO納米線(xiàn)研究

作者：申彩霞； 李梅； 劉偉；

關(guān)鍵詞：ZnO； 納米線(xiàn)； 強(qiáng)磁場(chǎng)；

機(jī)構(gòu)： 清華大學(xué)；

摘要： 采用真空蒸鍍方法制備金屬Zn膜,在不同磁場(chǎng)強(qiáng)度(0T-8T)條件下高溫氧化金屬Zn膜生長(zhǎng)了ZnO納米線(xiàn),用掃描電子顯微鏡(SEM)觀(guān)察了樣品的表面形貌,用X射線(xiàn)衍射方法(XRD)研究了樣品的晶體結(jié)構(gòu),分析表明磁場(chǎng)對(duì)ZnO納米線(xiàn)的形貌有影響。用室溫光致發(fā)光譜(PL)研究了ZnO納米線(xiàn)的光譜性質(zhì),結(jié)果表明ZnO納米線(xiàn)的綠光發(fā)射與制備樣品時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度相關(guān)。論文研究表明在磁場(chǎng)條件下制備的ZnO納米線(xiàn),其形貌和發(fā)光性質(zhì)都受到制備條件的影響。