銦摻雜ZnGa_2O_4納米線中的結(jié)構(gòu)缺陷分析(英文)

編號：NMJS02636

篇名：銦摻雜ZnGa_2O_4納米線中的結(jié)構(gòu)缺陷分析(英文)

作者：張偉光； 榮憲偉；

關(guān)鍵詞：納米結(jié)構(gòu)； 半導(dǎo)體； 缺陷；

機構(gòu)： 哈爾濱師范大學物理與電子工程學院黑龍江省低維體系與介觀物理重點實驗室；

摘要： 用熱蒸發(fā)的方法合成了銦摻雜的ZnGa2O4納米線。利用透射電鏡和X射線能譜對樣品的結(jié)構(gòu)和成分進行了研究。在"之"字形和竹節(jié)形兩種形貌的納米線中分別發(fā)現(xiàn)了孿晶和面位錯兩種缺陷。"之"字形生長的納米折線是孿晶,沿<11-1>方向生長,孿晶角為140°。竹節(jié)形的納米線沿<011->方向生長,竹節(jié)處存在兩種面位錯,面位錯與生長方向分別成54°和90°角。缺陷的存在對納米線的性質(zhì)將產(chǎn)生重要影響。