ZnO/Zn_2SnO_4納米電纜結(jié)構(gòu)表征與發(fā)光特性

編號(hào)：NMJS02633

篇名：ZnO/Zn_2SnO_4納米電纜結(jié)構(gòu)表征與發(fā)光特性

作者：周茹莉； 孔向陽；

關(guān)鍵詞：ZnO/Zn2SnO4； 納米電纜； 合成； 發(fā)光特性；

機(jī)構(gòu)： 上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院汽車動(dòng)力電池材料研究所；

摘要： ZnO、Zn2SnO4均為直接帶隙寬禁帶氧化物半導(dǎo)體,是優(yōu)異的功能材料.以ZnO、SnO2為原料,通過共熱蒸發(fā)法,合成了ZnO/Zn2SnO4納米電纜結(jié)構(gòu).該納米電纜結(jié)構(gòu)為以ZnO為芯,Zn2SnO4為鞘,直徑為50~100nm,長度可達(dá)上百微米.通過TEM分析手段,發(fā)現(xiàn)該納米電纜結(jié)構(gòu)中,ZnO的生長方向?yàn)?0001>方向,ZnO芯與Zn2SnO4鞘之間形成晶格外延關(guān)系.室溫下光致發(fā)光譜結(jié)果顯示,該納米電纜結(jié)構(gòu)在紫外區(qū)域(380.58nm附近處)存在很強(qiáng)的帶邊發(fā)光,而在可見光區(qū)域沒有明顯的發(fā)光帶,這一結(jié)果表明:Zn2SnO4鞘層的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷發(fā)光.ZnO/Zn2SnO4納米電纜結(jié)構(gòu)可以抑制電子-空穴的復(fù)合,在染料敏化太陽能電池等方面有一定的應(yīng)用潛力.