碳納米管場效應(yīng)管尺寸縮小特性的比較

編號：NMJS02612

篇名：碳納米管場效應(yīng)管尺寸縮小特性的比較

作者：周海亮； 趙天磊； 張民選； 郝躍；

關(guān)鍵詞：碳納米管場效應(yīng)管； 尺寸縮小特性； 帶間隧穿； 非平衡格林函數(shù)； 量子電容；

機(jī)構(gòu)： 國防科技大學(xué)計算機(jī)學(xué)院； 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院；

摘要： 由于具有更為顯著的量子隧穿效應(yīng),碳納米管場效應(yīng)管具有較硅基MOS管不同的尺寸縮小特性,同時,由于工作機(jī)理的不同,類MOS碳納米管場效應(yīng)管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸縮小特性與隧穿碳納米管場效應(yīng)管(T-CNFETs)也不盡相同。器件尺寸縮小特性研究是研究其應(yīng)用前景的重要方式,而之前對碳納米管場效應(yīng)管尺寸縮小特性的研究并沒考慮帶間隧穿對碳納米管場效應(yīng)管尺寸縮小特性的影響。采用非平衡格林函數(shù)方法,對比研究了帶間隧穿對C-CNFETs與T-CNFETs尺寸縮小特性的影響。研究結(jié)果表明兩者存在較大差異、甚至截然相反的尺寸縮小特性。有利于為碳納米管場效應(yīng)管器件設(shè)計提供重要指導(dǎo),以獲取面積、速度、功耗之間的合理折中。