金屬援助硅化學刻蝕法可控制備硅納米線陣列

編號：NMJS02563

篇名：金屬援助硅化學刻蝕法可控制備硅納米線陣列

作者：呂文輝； 張帥；

關(guān)鍵詞：硅納米線陣列； 金屬援助硅化學刻蝕； 形貌控制；

機構(gòu)： 湛江師范學院物理系； 浙江大學硅材料國家重點實驗室； 湛江師范學院科技處；

摘要： 基于金屬援助硅化學刻蝕機理,成功地發(fā)展了一種形貌可控地制備硅納米線陣列的有效方法。在該方法中,通過銀納米顆粒催化層的微結(jié)構(gòu)和硅化學刻蝕的時間來調(diào)控硅納米線陣列的形貌。掃描電子顯微鏡(SEM)形貌表征的實驗結(jié)果證實:硅納米線陣列的孔隙率依賴銀納米顆粒催化層的微結(jié)構(gòu),硅納米線陣列的高度依賴于硅的刻蝕時間。這種形貌可控地制備單晶硅納米線陣列的方法簡單、有效,可用于構(gòu)筑硅納米線光伏電池等各種硅基納米電子器件。