ZnO納米線/納米棒混合陣列的制備及其光致發(fā)光性能研究

編號：NMJS02553

篇名：ZnO納米線/納米棒混合陣列的制備及其光致發(fā)光性能研究

作者：栗粟； 章曉中；

關(guān)鍵詞：ZnO納米線； 納米棒； 熱蒸發(fā)法； 光致發(fā)光；

機構(gòu)： 清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系先進(jìn)材料教育部重點實驗室北京電子顯微鏡中心；

摘要： 使用無催化劑熱蒸發(fā)法,在ZnO/Si薄膜襯底上制備了ZnO納米線/納米棒混合陣列。其中,納米線的直徑為10~20 nm,納米棒的直徑為60~160 nm,二者混合在一起垂直生長于襯底表面。從襯底的上游到下游位置,混合陣列中納米線的含量逐漸下降,納米棒逐漸增多。室溫光致發(fā)光測試發(fā)現(xiàn)尺寸較小的納米線陣列的紫外光發(fā)光強度比大尺寸納米棒陣列高約5倍。持續(xù)激發(fā)光照射下,納米線陣列的發(fā)光強度逐漸上升,停止光照后又逐漸下降到初始值,這可以用納米線表面O2分子的解吸附和吸附過程來理解。