微量元素和燒結(jié)溫度對(duì)硅基半導(dǎo)體中微觀缺陷的影響

編號(hào)：FTJS02798

篇名：微量元素和燒結(jié)溫度對(duì)硅基半導(dǎo)體中微觀缺陷的影響

作者：韓艷玲； 陳玉輝； 韓麗芳； 黃宇陽(yáng)； 鄧文；

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體Si； 摻硼； 摻碳； 微觀缺陷； 正電子湮沒；

機(jī)構(gòu)： 廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院；

摘要： 測(cè)量了不同C或B含量經(jīng)不同燒結(jié)溫度制備的Si基半導(dǎo)體、單晶Si、單晶SiO2、石墨和純多晶B樣品的正電子壽命譜和符合正電子湮沒輻射Doppler展寬譜。結(jié)果表明,石墨的商譜譜峰最高,SiO2的譜峰次之,B的譜峰最低。隨著B,C和O原子序數(shù)的增加,與正電子湮沒的電子動(dòng)量增加。含20%的C和含100ppm的B的樣品的商譜的譜峰最高;含100ppm的B的樣品的譜峰次之;含1ppm的B的樣品的譜峰最低。隨著燒結(jié)溫度的升高,含100ppm的B的Si基半導(dǎo)體樣品的商譜降低,正電子壽命增長(zhǎng),缺陷開空間和濃度升高。