封裝用高熱導率硅膠性能的研究

編號：FTJS02744

篇名：封裝用高熱導率硅膠性能的研究

作者：何錫源； 張旭； 張福甲；

關鍵詞：高熱導率硅膠； 半導體發(fā)光二極管； 掃描電子顯微鏡； 熱模擬；

機構： 蘭州大學物理科學與技術學院； 甘肅聯(lián)合大學數學與信息學院；

摘要： 通過對LED封裝結構熱模擬分析表明,模擬固晶膠粘貼部分失效的情況下,采用熱導率為0.1W/m.K的普通硅膠封裝成的LED芯片最高溫度為220.27°C,采用導熱填料高熱導率硅膠灌封的LED芯片最高溫度可降低到122.71°C,大幅降低了芯片的溫度。納米ZnO導熱填料高熱導率硅膠,其填料顆粒的直徑小于25 nm,透光率高,可適用于LED封裝。高溫加速老化結果表明,采用導熱硅膠灌封的LED樣品具有很好的熱穩(wěn)定性,LED高溫老化2 000 h后,光通維持率保持在90%以上,避免了由于灌封材料和熒光粉老化產生的黑褐色覆蓋層,提高熱穩(wěn)定性和器件使用壽命。