羥基氧化鎵菱形截面棒狀粉體的制備與表征

編號(hào)：CPJS01163

篇名：羥基氧化鎵菱形截面棒狀粉體的制備與表征

作者：林祖?zhèn)ィ?曾凱； 汪亮； 胡善； 劉世興； 黃小光； 陳曙光；

關(guān)鍵詞：羥基氧化鎵； 菱形截面； 晶體生長(zhǎng)；

機(jī)構(gòu)： 長(zhǎng)沙理工大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院；

摘要： 用GaCl3溶液和NH3.H2O反應(yīng)成功制備了羥基氧化鎵(GaOOH)菱形截面棒狀粉體。用X射線衍射(XRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行了表征,并探討了GaOOH晶體的生長(zhǎng)機(jī)理。結(jié)果表明:GaOOH粉體表現(xiàn)為分散性較好的短棒狀,長(zhǎng)度分布在2~4μm,絕大多數(shù)粉體的長(zhǎng)徑比為4左右;菱形截面是由{110}晶面族的(110)、(1-1 0)、(-1 1 0)以及(-1-1 0)四個(gè)等效晶面分別沿著[-4 1 0]、[-4-1 0]、[410]和[4-1 0]晶體學(xué)方向均勻長(zhǎng)大而成。