電化學誘導法制備二氧化硅薄膜材料

編號：CPJS01120

篇名：電化學誘導法制備二氧化硅薄膜材料

作者：陳勇； 劉善堂；

關鍵詞：電化學誘導； 二氧化硅薄膜； 溶膠-凝膠；

機構： 武漢工程大學化工與制藥學院綠色化工過程省部共建教育部重點實驗室湖北省新型反應器與綠色化學工藝重點實驗室；

摘要： 通過電化學誘導的溶膠-凝膠過程,以四甲氧基硅烷(TMOS)作為硅源,在氧化銦錫(ITO)電極表面制備了二氧化硅(SiO2)薄膜.使用掃描電鏡(SEM)、紫外可見光譜(UV)和循環(huán)伏安法(CV)分別對薄膜的表面形貌、光吸收特性和導電性能進行了表征.結果表明:所施加的電壓顯著地影響SiO2薄膜的在固體表面上的生長.SEM圖顯示出在薄膜表面上沒有明顯的介孔結構.薄膜的紫外可見光譜在波長為430 nm處出現(xiàn)了SiO2分子的本征吸收峰,表明這固體表面上的材料主要是由SiO2構成的.循環(huán)伏安曲線證明該薄膜材料具有很高的電阻.這種電沉積的SiO2薄膜材料有望應用于分解有機污染物等領域.