Si(100)襯底上激光分子束外延制備高質(zhì)量TiN薄膜

編號：CPJS01016

篇名：Si(100)襯底上激光分子束外延制備高質(zhì)量TiN薄膜

作者：楊為家； 謝尚昇； 李雪飛； 王云云； 符躍春；

關(guān)鍵詞：TiN薄膜； N2分壓； 激光脈沖能量； 晶體結(jié)構(gòu)； 生長模式；

機構(gòu)： 廣西大學材料科學與工程學院有色金屬及材料加工新技術(shù)教育部重點實驗室；

摘要： 采用激光分子束外延(LMBE)技術(shù)在Si(100)上制備了高質(zhì)量的TiN薄膜。對N2分壓和激光脈沖能量對TiN薄膜晶體結(jié)構(gòu)、生長模式和表面形貌影響的研究表明,TiN單晶薄膜呈(200)擇優(yōu)取向,在N2分壓為10-1 Pa時,薄膜的結(jié)晶度高且表面平整致密。隨著N2分壓的增加,TiN(200)衍射峰向低角度移動。激光脈沖能量顯著影響TiN薄膜的生長模式,在能量為200 mJ/p時,薄膜呈二維層狀生長模式且具有納米級平滑表面,為制備高取向度AlN薄膜提供了很好的條件。