射頻磁控濺射制備層狀Bi-Te薄膜及熱電性能研究(英文)

編號(hào)：NMJS02440

篇名：射頻磁控濺射制備層狀Bi-Te薄膜及熱電性能研究(英文)

作者：張志偉； 王瑤； 鄧元； 譚明；

關(guān)鍵詞：碲化鉍； 薄膜； 射頻磁控濺射； 熱電性能；

機(jī)構(gòu)： 特種功能材料與薄膜技術(shù)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室北京航空航天大學(xué)化學(xué)與環(huán)境學(xué)院；

摘要： 采用射頻磁控濺射制備了具有特殊層狀納米結(jié)構(gòu)的碲化鉍熱電薄膜.以Bi2Te3為靶材,在不同基底溫度和沉積時(shí)間下制備了薄膜,并利用X射線衍射、掃描電鏡和X射線能譜等對(duì)樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和成分分析,同時(shí)測(cè)試了薄膜的電導(dǎo)率和Seebeck系數(shù).結(jié)果表明,基底溫度是影響薄膜微結(jié)構(gòu)和熱電性能的關(guān)鍵因素之一,較高的基底溫度利于層狀結(jié)構(gòu)的形成和功率因子的提高,400℃基底溫度下制備薄膜的功率因子最優(yōu).然而,所有薄膜均顯示不同程度偏離Bi2Te3的化學(xué)計(jì)量比而缺Te,優(yōu)化薄膜成分有望進(jìn)一步提高薄膜的熱電性能.