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            聚酰亞胺/碳化硅納米材料的制備及性能研究

            編號:NMJS02416

            篇名:聚酰亞胺/碳化硅納米材料的制備及性能研究

            作者:陳; 陳江聰; 賀國文; 李。

            關(guān)鍵詞:聚酰亞胺; SiC; 制備; 表征;

            機(jī)構(gòu): 中南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;

            摘要: 用原位聚合法制備了聚酰亞胺/SiC復(fù)合膜,SiC使用偶聯(lián)劑(3-氨丙基-三乙氧基硅烷)改性,采用FT-IR、SEM、TGA等對雜化膜的化學(xué)結(jié)構(gòu)和形態(tài)進(jìn)行表征和分析。結(jié)果表明:偶聯(lián)劑改性SiC成功,在含量為3%時(shí),改性SiC在PI基體中分散效果比未改性SiC要好;偶聯(lián)劑的加入對PI和SiC的結(jié)晶性能有少量影響,對PI復(fù)合膜的熱穩(wěn)定性幾乎沒有影響。

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