納米雙柵MOSFET柵極漏電流的二維量子模擬(英文)

編號：NMJS02410

篇名：納米雙柵MOSFET柵極漏電流的二維量子模擬(英文)

作者：唐睿； 王豪； 常勝； 胡月； 王高峰；

關(guān)鍵詞：非平衡格林函數(shù)(NEGF)； 量子效應(yīng)； 數(shù)值模擬； 雙柵MOSFET； 柵極漏電流；

機(jī)構(gòu)： 武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院； 武漢大學(xué)微電子與信息技術(shù)研究院；

摘要： 基于非平衡格林函數(shù)(NEGF)的量子輸運理論框架,對雙柵MOSFET進(jìn)行了二維實空間數(shù)值模擬。在對表征載流子電勢的泊松方程自洽求解后,感興趣的物理量(如亞閾值擺幅、漏致勢壘下降、載流子密度、電流密度等)可以被求得,觀察了由柵極注入效應(yīng)導(dǎo)致的二維電荷分布,并對不同電介質(zhì)材料對柵極漏電流的影響進(jìn)行了研究。此外,還通過調(diào)整電介質(zhì)參數(shù)并進(jìn)行比較的方法,研究了電介質(zhì)的有效質(zhì)量、介電常數(shù)、導(dǎo)帶偏移對柵極漏電流的影響。該模擬方法為雙柵MOSFET中載流子自柵極的注入提供了良好的物理圖景,對器件特性的分析和比較有助于柵氧層高k電介質(zhì)材料的選取。