襯底對PECVD法生長氫化納米硅薄膜的影響

編號(hào)：NMJS02343

篇名：襯底對PECVD法生長氫化納米硅薄膜的影響

作者：王權(quán)； 胡然； 丁建寧； 何宇亮；

關(guān)鍵詞：納米硅薄膜； Raman光譜； 表面粗糙度； 晶態(tài)比；

機(jī)構(gòu)： 江蘇大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院； 中科院傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 南京大學(xué)物理系；

摘要： 用等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)法,在玻璃和單晶Si襯底上分別制備了氫化納米硅薄膜,對在相同工藝條件下的薄膜進(jìn)行了對比研究,即用Raman散射譜研究了薄膜的晶粒平均大小和晶態(tài)比;用臺(tái)階儀測試了薄膜厚度;用X射線衍射譜和原子力顯微鏡對薄膜微結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了對比研究,發(fā)現(xiàn)所制備薄膜的微觀結(jié)構(gòu)有很大的差異。相同工藝條件下,在玻璃襯底上生長的薄膜,表面粗糙度小于單晶Si襯底上的薄膜,而晶化程度低于單晶Si襯底。摻雜使微結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,摻P促進(jìn)晶化,摻B促進(jìn)非晶化,對此實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出了定性的分析。