沉積電位對銀納米晶體生長形態(tài)的影響

編號：NMJS02284

篇名：沉積電位對銀納米晶體生長形態(tài)的影響

作者：張吉曄； 陳福義； 閆曉紅；

關(guān)鍵詞：物理化學(xué)； 銀納米晶體； 晶體生長形態(tài)； 表面等離子共振；

機構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國家重點實驗室；

摘要： 在ITO導(dǎo)電玻璃基體上應(yīng)用電沉積方法制備了銀納米晶體,通過調(diào)節(jié)沉積電位,制備了形貌和尺寸可控的樣品。用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和紫外可見光譜儀(UV-Vis)分別對樣品的結(jié)構(gòu)、微觀形貌以及光學(xué)性質(zhì)進行了表征。結(jié)果表明:沉積電位是在一定范圍內(nèi)決定銀納米晶體的生長速度和最終生長形態(tài)的直接因素,在沉積電位E=0.2～0 V(SCE)之間觀察到了沿(111)面擇優(yōu)生長引起的多面體晶體-枝晶轉(zhuǎn)化;通過UV-Vis光譜發(fā)現(xiàn),當(dāng)E=-0.2 V時,在350 nm處有一個區(qū)別于其它電位的明顯的吸收峰。