化學氣相沉積法制備Sn_2S_3一維納米結(jié)構(gòu)陣列

編號：NMJS01997

篇名：化學氣相沉積法制備Sn_2S_3一維納米結(jié)構(gòu)陣列

作者：彭躍華； 周海青； 劉湘衡； 何熊武； 趙丁； 海闊； 周偉昌； 袁華軍； 唐東升；

關鍵詞：一維納米結(jié)構(gòu)； 陣列； 化學氣相沉積法； 三硫化二錫； 氣-固生長機理；

機構(gòu)： 湖南師范大學低維量子結(jié)構(gòu)與調(diào)控教育部重點實驗室物理與信息科學學院；

摘要： 運用化學氣相沉積法(CVD),直接以Sn和S為原料分區(qū)加熱蒸發(fā),通過控制溫度分布、氣壓、載氣流量和金屬鉛納米顆粒分布等宏觀實驗條件,成功制備大面積Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)陣列.掃描電子顯微鏡(SEM)圖片顯示:Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)的橫向尺度在100nm左右,長約幾個微米.X射線衍射(XRD)譜顯示:所制備樣品的晶體結(jié)構(gòu)屬于正交晶系,沿[002]方向生長.紫外-可見漫反射譜表明Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)是帶隙為2.0eV的直接帶隙半導體.討論了溫度分布和金屬鉛納米顆粒對Sn2S3一維納米結(jié)構(gòu)生長的影響,并指出其生長可能遵循氣-固(V-S)生長機理.