用磁控濺射法制備納米膜防輻射布的工藝探討

編號：NMJS01948

篇名：用磁控濺射法制備納米膜防輻射布的工藝探討

作者：葉毓輝； 楊志敏； 何玉蘭；

關(guān)鍵詞：磁控濺射； 納米膜； 防輻射布； 工藝；

機構(gòu)： 深圳市計量質(zhì)量檢測研究院；

摘要： 利用磁控濺射技術(shù)在滌綸無紡布表面沉積納米結(jié)構(gòu)銀薄膜,以制得防輻射布。探討了靶基距、濺射功率、工作氣壓和進氣量等工藝條件對薄膜屏蔽效能的影響。結(jié)果表明在時間規(guī)定條件下,對屏蔽效能影響大小的排序是:工作氣壓>靶基距>進氣量>濺射功率。