硫化鎘納米膜的生物還原-化學(xué)沉淀耦合制備及其性能表征

編號：NMJS01875

篇名：硫化鎘納米膜的生物還原-化學(xué)沉淀耦合制備及其性能表征

作者：馬興泰； 辛寶平； 吳瑩； 陳崗； 陳實(shí)； 吳鋒；

關(guān)鍵詞：生物還原； 生物合成； 納米薄膜； 硫化鎘；

機(jī)構(gòu)： 北京理工大學(xué)化工與環(huán)境學(xué)院北京市環(huán)境科學(xué)工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；

摘要： 本文應(yīng)用生物還原-化學(xué)沉淀耦合反應(yīng)(CRBRCP-EDTA)制備出硫化鎘納米薄膜,并借助XRD和SEM對合成材料的物相、結(jié)構(gòu)、形貌進(jìn)行了表征。研究表明,以鋁片為基底時(shí)CdS難以沉積,CdS納米薄膜不能形成;以導(dǎo)電玻璃和單晶硅片為基底時(shí)CdS納米薄膜方可生成。導(dǎo)電玻璃和單晶硅片薄膜都是雙層結(jié)構(gòu),導(dǎo)電玻璃薄膜下層厚度大約40~50 nm,上層厚度大約450~500 nm,整體厚度大約500~550 nm;硅片薄膜的上下兩層厚度基本相等,均為300 nm左右,而整體厚度達(dá)到600~650 nm。Cd2+濃度增加和分散劑PAM加入顯著改善了導(dǎo)電玻璃薄膜質(zhì)量,膜的致密性、均勻性和光催化活性都有所提高。