Cu上石墨烯的化學(xué)氣相沉積法生長研究

編號：FTJS02393

篇名：Cu上石墨烯的化學(xué)氣相沉積法生長研究

作者：師小萍； 于廣輝； 王斌； 吳淵文；

關(guān)鍵詞：石墨烯； 化學(xué)氣相沉積(CVD)； 表面處理； 拉曼；

機(jī)構(gòu)： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室；

摘要： 利用自行搭建的化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備在Cu箔襯底上成功的制備出石墨烯薄膜,并利用光學(xué)顯微鏡和拉曼光譜分析等手段對石墨烯薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。主要研究了Cu箔的表面處理和沉積過程的氣體流量對石墨烯質(zhì)量的影響,發(fā)現(xiàn)氨水處理Cu箔可以腐蝕Cu箔表面的各種雜質(zhì)提高Cu箔的潔凈度從而提高石墨烯的結(jié)晶質(zhì)量,優(yōu)化CH4和H2的氣體流量可以提高石墨烯的單層性和均勻性。并最終在CH4:H2=200:0 sccm條件下,在氨水處理過的Cu箔上獲得了面積1.5 cm×1.5 cm的均勻的單層石墨烯。 更多還原