MoSi_2添加對再結晶碳化硅(R-SiC)微觀結構和體積電阻率的影響

編號：FTJS02303

篇名：MoSi_2添加對再結晶碳化硅(R-SiC)微觀結構和體積電阻率的影響

作者：高朋召； 汪文祥； 公偉偉； 肖漢寧；

關鍵詞：碳化硅； MoSi2； 力學性能； 體積電阻率；

機構： 湖南大學材料科學與工程學院；

摘要： 在一定粗細顆粒配比的SiC粉體中添加不同量的MoSi2,進而在2 300℃燒結得到MoSi2/R-SiC復合材料.采用SEM,XRD,力學性能測試、阻抗分析儀等方法研究了MoSi2添加量對復合材料微觀結構、組成、力學和電學性能的影響.結果表明:在2 300℃所得的復合材料中,SiC為6H型,MoSi2轉化為六方晶型的Mo4.8Si3C0.6,其主要原因是高溫下液相MoSi2逐漸失去Si,同時與SiC發(fā)生反應轉變?yōu)榈凸韬�量的硅鉬炭化合物所致.硅鉬炭化合物主要以涂層的形式包覆在SiC顆粒的表面,隨添加量的增加,涂層逐漸增厚,當添加量超過10%,部分Mo4.8Si3C0.6填充在SiC空隙中;復合材料的密度和表觀氣孔率隨Mo-Si2添加量的增加逐漸增加,力學性能變化不大,但體積電阻率顯著降低.同時對所得材料的導電機理進行了初步的探討.