制備工藝對摻銪ATO納米粉體性能的影響

編號：CPJS00965

篇名：制備工藝對摻銪ATO納米粉體性能的影響

作者：樊兆寶； 黃秀揚； 劉大川； 張盛強；

關鍵詞：共沉淀法； 摻雜Eu； ATO； 納米粉體； 制備工藝；

機構： 梅嶺化工廠研究所； 蘭州理工大學材料科學與工程學院；

摘要： 采用化學共沉淀法制備了摻雜稀土銪的ATO納米粉體。運用X射線衍射(XRD)測試方法對ATO粉體的結構進行表征,研究了滴定終點pH值、反應溫度和熱處理溫度對粉體晶型結構、粒徑和導電性能的影響,發(fā)現(xiàn)pH值為9、反應溫度為60℃、600~700℃熱處理溫度下得到粉體的性能最佳。此溫度下制備的ATO粉體的晶型結構較完整,粉體的電阻率為280Ω.cm,顆粒尺寸為33~34 nm。