磷摻雜對非晶硅薄膜結(jié)構(gòu)及光電性能的影響

編號：FTJS02159

篇名：磷摻雜對非晶硅薄膜結(jié)構(gòu)及光電性能的影響

作者：殷官超； 高峰； 袁文輝； 夏冬林； 趙修建；

關(guān)鍵詞：氫化非晶硅； 等離子增強化學(xué)氣相沉積； Raman散射光譜； 暗電導(dǎo)率；

機構(gòu)： 武漢理工大學(xué)硅酸鹽材料教育部重點實驗室；

摘要： 采用射頻等離子增強化學(xué)氣相沉積方法制備了磷摻雜氫化非晶硅（a-Si:H）薄膜。通過Raman散射光譜研究了不同磷烷摻雜含量薄膜的微結(jié)構(gòu),利用分光光度計對薄膜的厚度、消光系數(shù)和折射率進行了模擬,用高阻儀測得了非晶硅薄膜暗電導(dǎo)率。結(jié)果表明:薄膜的中程有序度隨著磷摻雜量（?）（體積分數(shù)）的增加而減小;折射率在（?）為0 8%時最大;在結(jié)構(gòu)無序度隨著（?）而增大的影響下,薄膜暗電導(dǎo)率在（?）為1%時達到最大,為8.41×10-3S/cm。