納米硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的優(yōu)化設(shè)計(jì)

編號(hào)：NMJS01800

篇名：納米硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的優(yōu)化設(shè)計(jì)

作者：汪禮勝； 祝霽洺； 陳鳳翔；

關(guān)鍵詞：氫化納米碳化硅； 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池； 優(yōu)化設(shè)計(jì)； AFORS-HET；

機(jī)構(gòu)： 武漢理工大學(xué)理學(xué)院物理科學(xué)與技術(shù)系；

摘要： 采用AFORS-HET軟件對(duì)TCO/nc-SiC∶H(p)/nc-Si∶H(i)/c-Si(n)/nc-Si∶H(n+)/Al異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池進(jìn)行了模擬,分別討論了窗口層、本征層、界面態(tài)和背場(chǎng)對(duì)太陽(yáng)電池性能參數(shù)的影響。模擬結(jié)果表明,厚度盡可能薄的p層能減少入射光及光生載流子在窗口層的損失,對(duì)應(yīng)最佳的窗口層禁帶寬度為1.95eV。本征層的引入主要是鈍化異質(zhì)結(jié)界面,降低界面態(tài)的影響,提高電池轉(zhuǎn)換效率。合理的背場(chǎng)設(shè)計(jì)可提高電池的轉(zhuǎn)換效率1.7個(gè)百分點(diǎn)左右,此時(shí)最佳的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的性能參數(shù)為:開(kāi)路電壓Voc=696.1mV,短路電流密度Jsc=38.49mA/cm2,填充因子FF=83.52%,轉(zhuǎn)換效率η=22.38%。