硅納米線陣列光陽(yáng)極的制備及其光電轉(zhuǎn)換性能研究

編號(hào)：NMJS01712

篇名：硅納米線陣列光陽(yáng)極的制備及其光電轉(zhuǎn)換性能研究

作者：呂文輝； 張帥；

關(guān)鍵詞：硅納米線陣列光陽(yáng)極； 光電化學(xué)池； 光電轉(zhuǎn)換；

機(jī)構(gòu)： 湛江師范學(xué)院物理系； 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 湛江師范學(xué)院科技處；

摘要： 結(jié)合光刻和金屬援助硅化學(xué)刻蝕法成功地制備出了用于光伏型光電化學(xué)池的圖形化硅納米線陣列光陽(yáng)極,并表征和研究了其光電轉(zhuǎn)換性能。掃描電子顯微鏡和漫反射光譜測(cè)試表明光陽(yáng)極表面為多孔狀,在300nm-1000nm的光譜范圍之內(nèi)光反射率低于5%�；�于該光陽(yáng)極的光電化學(xué)池具有明顯的光響應(yīng),光電轉(zhuǎn)換效率為0.33%。通過(guò)光電轉(zhuǎn)換過(guò)程分析,光生載流子在硅納米線/電解液界面上的復(fù)合可能是導(dǎo)致較低光轉(zhuǎn)換效率的主要原因。