鉑/多壁碳納米管修飾玻碳電極用于微分脈沖伏安法測定左旋多巴

編號：NMJS01690

篇名：鉑/多壁碳納米管修飾玻碳電極用于微分脈沖伏安法測定左旋多巴

作者：李利軍； 程龍軍； 蔡卓； 程昊； 藍蘇梅； 郭曉菲；

關鍵詞：循環(huán)伏安法； 微分脈沖伏安法； 鉑/多壁碳納米管修飾玻碳電極； 左旋多巴；

機構： 廣西工學院生物與化學工程系； 廣西大學化學化工學院；

摘要： 采用微波輔助加熱多元醇技術制備了載鉑多壁碳納米管復合材料,并將該復合材料分散在N,N′-二甲基甲酰胺溶液中得到懸浮液,取14μL懸浮液滴涂在玻碳電極表面,制備鉑/多壁碳納米管修飾電極（Pt/MWCNT′s/GCE）。循環(huán)伏安法研究了在0.05mol·L-1硫酸支持電解質中,在0.30～0.70V（vs.SCE）電位范圍內,左旋多巴在修飾電極上的電化學行為,結果表明:左旋多巴在Pt/MWCNT′s/GCE上于電位0.548V處可見明顯的氧化峰,且氧化峰電流顯著高于在MWCNT′s/GCE和裸玻碳電極上的氧化峰電流。提出了用微分脈沖伏安法測定左旋多巴的方法。左旋多巴的濃度在8.0×10-6～2.0×10-1mol·L-1范圍內與其氧化峰電流呈線性關系,檢出限（3S/N）為1.9×10-6mol·L-1,平均回收率為102.8%。