圖形化硅納米線陣列場(chǎng)發(fā)射陰極的制備及其場(chǎng)發(fā)射性能

編號(hào)：NMJS01650

篇名：圖形化硅納米線陣列場(chǎng)發(fā)射陰極的制備及其場(chǎng)發(fā)射性能

作者：呂文輝； 張帥；

關(guān)鍵詞：圖形化的硅納米線陣列； 金屬援助硅化學(xué)刻蝕； 場(chǎng)發(fā)射；

機(jī)構(gòu)： 湛江師范學(xué)院物理系； 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 湛江師范學(xué)院科技處；

摘要： 結(jié)合光刻工藝和金屬援助硅化學(xué)刻蝕法成功地制備了圖形化的硅納米線陣列場(chǎng)發(fā)射陰極,研究了其場(chǎng)發(fā)射性能。掃描電子顯微鏡照片顯示,嵌入在硅襯底的硅納米線陣列為垂直取向,形成圖形化。場(chǎng)發(fā)射測(cè)試與分析表明,該陰極能夠有效實(shí)現(xiàn)場(chǎng)電子發(fā)射,并且有利于獲得圖形化、低發(fā)散角的電子束。本研究提供了一種在硅基底上簡(jiǎn)單、有效地選域制備圖形化硅納米線陣列場(chǎng)發(fā)射陰極的途徑,可潛在用于構(gòu)筑各種真空微電子器件。