納米Ge-SiO2薄膜對1342nm激光的被動調(diào)Q

編號：NMJS01617

篇名：納米Ge-SiO2薄膜對1342nm激光的被動調(diào)Q

作者：王燕飛； 王加賢； 張培； 楊先才；

關鍵詞：激光技術； Nd∶YVO4激光器； 納米鍺鑲嵌二氧化硅薄膜； 被動調(diào)Q； 可飽和吸收體；

機構(gòu)： 華僑大學信息科學與工程學院；

摘要： 采用射頻磁控濺射技術和熱退火處理方法制備納米鍺鑲嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收譜和X射線衍射譜對薄膜材料進行表征,得到薄膜的光學帶隙為1.12 eV,納米Ge晶粒的平均尺寸約為16.4 nm.將納米Ge-SiO2薄膜作為可飽和吸收體插入激光二極管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器內(nèi),實現(xiàn)1 342 nm激光的被動調(diào)Q運轉(zhuǎn),獲得脈沖寬度約為40 ns,重復頻率為33.3 kHz的調(diào)Q脈沖序列輸出.根據(jù)實驗現(xiàn)象并結(jié)合薄膜結(jié)構(gòu),認為納米Ge-SiO2薄膜的界面態(tài)和缺陷態(tài)是產(chǎn)生調(diào)Q的主要原因. 更多還原