不同制備pH值對納米Co_3O_4光催化脫色性能的影響

編號：NMJS01598

篇名：不同制備pH值對納米Co_3O_4光催化脫色性能的影響

作者：王紹華； 鐘俊波； 李建章； 曾��；

關(guān)鍵詞：Co3O4； 并流沉淀； 甲基橙； 光催化性能；

機(jī)構(gòu)： 四川理工學(xué)院化學(xué)與制藥工程學(xué)院；

摘要： 采用并流沉淀法在不同pH值下制備了納米Co3O4,用X-射線衍射(XRD)、比表面(BET)、掃描電鏡(SEM)和熱重-差熱(TG-DTA)對所制備的材料進(jìn)行了表征。以甲基橙為模擬污染物,考察了納米Co3O4光催化脫色性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:不同制備pH值對Co3O4表面參數(shù),形貌,晶粒大小、熱分解行為及光催化脫色性能影響顯著。pH控制在8.5左右時(shí)所制備納米Co3O4具有最高的比表面、最低的孔徑、最小的粒徑和最好的光催化活性,光照1小時(shí)對甲基橙溶液的脫色率達(dá)到40%。