SiO2納米柱陣列太陽(yáng)電池減反射層設(shè)計(jì)

編號(hào)：NMJS01593

篇名：SiO2納米柱陣列太陽(yáng)電池減反射層設(shè)計(jì)

作者：汪禮勝； 沈楊超； 陳鳳翔； 王嘉賦；

關(guān)鍵詞：SiO2納米柱陣列； 太陽(yáng)電池； 嚴(yán)格耦合波理論； 減反射； 加權(quán)平均反射率；

機(jī)構(gòu)： 武漢理工大學(xué)理學(xué)院；

摘要： 采用嚴(yán)格耦合波理論和增強(qiáng)透射矩陣方法,對(duì)SiO2納米柱陣列太陽(yáng)電池減反射層進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)的納米柱陣列結(jié)構(gòu)在300~1 200 nm波長(zhǎng)范圍內(nèi),可實(shí)現(xiàn)在太陽(yáng)光0°~60°的入射范圍內(nèi)平均加權(quán)反射率接近1%。通過(guò)與以太陽(yáng)光30°入射優(yōu)化設(shè)計(jì)的新型納米SiO2單層和SiO2/TiO2雙層減反射膜相比,發(fā)現(xiàn)優(yōu)化設(shè)計(jì)的SiO2納米柱陣列減反射層結(jié)構(gòu)在寬波段、寬入射角度范圍內(nèi)能更有效地減少光反射,從而提高太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率、降低生產(chǎn)成本。 更多還原