摻銪ATO納米粉體的制備及表征

編號：NMJS01417

篇名：摻銪ATO納米粉體的制備及表征

作者：朱福良； 黃秀揚； 張霞； 余細波；

關(guān)鍵詞：摻雜Eu； 共沉淀法； ATO； 納米粉體； 稀土；

機構(gòu)： 蘭州理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；

摘要： 采用化學(xué)共沉淀法制備了摻雜稀土銪的ATO納米粉體。運用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)等測試方法對ATO粉體進行表征,研究了制備工藝對粉體粒徑和導(dǎo)電性能的影響,發(fā)現(xiàn)銪的摩爾摻雜比在0.5%～1%之間,600～700℃熱處理溫度下得到粉體的性能最佳,粉體的電阻率為243Ω.cm,顆粒尺寸為33.6 nm。摻雜前粉體的電阻率和顆粒尺寸分別為181Ω.cm和41.4 nm,摻雜后分別為243Ω.cm和33.6 nm。結(jié)果顯示摻雜銪會使粉體的電阻率增加,但也能降低粒徑,減少團聚。 更多還原