氧化鋯摻雜對無銦氧化物靶材電阻率和密度的影響

編號：CYYJ043456

篇名：氧化鋯摻雜對無銦氧化物靶材電阻率和密度的影響

作者：曾墩風(fēng) 張兵 王志強 余慶萍

關(guān)鍵詞： 氧化物靶材 氧化鋯 電阻率 密度

機構(gòu)： 蕪湖映日科技股份有限公司

摘要： 氧化物靶材作為顯示面板中透明電極、半導(dǎo)體層與絕緣層的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料備受矚目,已然成為研究的熱點所在。在本文里,借助砂磨、造粒、模壓成型、高溫?zé)�結(jié)等一連串精心設(shè)計的制備方法,成功制造出了無銦氧化物靶材。并且,將重點聚焦于ZrO2摻雜所帶來的影響,展開了深入系統(tǒng)的研究。研究結(jié)果表明,在無銦氧化物的制備流程中,當(dāng)把最高燒結(jié)溫度設(shè)為1500℃,同時將燒結(jié)時間保持15h,ZrO2摻雜量精準控制為1.5 wt.%的時,效果很好。在這種條件下,電阻率成功達到最小值,僅為2.0×10-3Ω·cm,而密度達到6.945 g/cm3。無論是電阻率還是密度,這兩個關(guān)鍵的性能指標均處于最佳狀態(tài)。