異面結(jié)構(gòu)雪崩GaAs光導開關(guān)的制備及特性測試

編號：FTJS106902

篇名：異面結(jié)構(gòu)雪崩GaAs光導開關(guān)的制備及特性測試

作者：楊迎香 楊向紅 朱章杰 黃嘉 李昕 胡龍

關(guān)鍵詞： 砷化鎵 光導開關(guān) 暗態(tài)泄漏電流 輸出特性 壽命

機構(gòu)： 西安交通大學微電子學院 西安交通大學電子信息工程學院

摘要： 雪崩砷化鎵光導開關(guān)(PCSS)因其超快開關(guān)速度、低觸發(fā)抖動、光電隔離、高功率容量、高重復頻率以及器件結(jié)構(gòu)靈活的特點,得到廣泛應(yīng)用。制備封裝了電極間隙為5 mm的異面結(jié)構(gòu)GaAs光導開關(guān),對不同偏置電場下(36~76 kV/cm)開關(guān)的暗態(tài)和開態(tài)的電學特性進行了測試分析,結(jié)果表明其具有百皮秒~納秒量級的上升沿、低暗態(tài)泄漏電流(0.15~6.61μA)、高耐壓(18~38 kV)的特點。實驗探究了開關(guān)工作次數(shù)與輸出電壓峰值的關(guān)系,結(jié)果表明隨著工作次數(shù)的增大,輸出電壓幅值呈臺階型降低趨勢,在20 kV、2 Hz條件下,開關(guān)壽命達4.0×104次。