低對稱性二維過渡金屬硫族化合物的化學氣相沉積法制備

編號：FTJS106727

篇名：低對稱性二維過渡金屬硫族化合物的化學氣相沉積法制備

作者：陳蕓 張輝 羅政 毛衛(wèi)國 潘俊安 王珊珊

關鍵詞： 二維材料 低對稱性 化學氣相沉積 相調控 基底工程

機構： 湘潭大學材料科學與工程學院 國防科學技術大學空天科學學院新型陶瓷纖維及其復合材料國防科技重點實驗室 長沙理工大學材料科學與工程學院

摘要： 1428/2000 低對稱二維材料是一種新型的納米材料，具有很少的晶格對稱操作，縱向上只有原子級厚度。在二維過渡金屬二鹵化物(TMD)體系中，1T’-MoTe2,1T’-WTe2,1T’-ReS2和1T’-ReSe2是典型的低對稱構件。獨特的晶格對稱性使其具有豐富的各向異性物理和化學性質，在微納光子學、觸覺傳感器、各向異性邏輯器件等領域具有特殊的應用前景。低對稱二維 TMD 材料的基礎研究和應用開發(fā)依賴于這類材料的高質量、大尺寸和穩(wěn)定制備。因此，本文以這四種類型的材料為典型材料，首先根據(jù)金屬前驅物對它們進行分類，并回顧了近年來低對稱二維 TMD 材料的化學氣相沉積(CVD)制備方法。根據(jù)1T ′-MoTe2在制備過程中易發(fā)生相變和1T ′-ReS2、1T ′-ReSe2與底物之間弱相互作用的特點，介紹了1T ′-MoTe2制備過程中的相調控機理以及1T ′-ReS2和1T ′-ReSe2制備過程中的底物工程研究。最后，本文展望了低對稱二維 TMD 材料的未來挑戰(zhàn)和機遇。