二維六方氮化硼的制備及其光電子器件研究進展

編號：FTJS106726

篇名：二維六方氮化硼的制備及其光電子器件研究進展

作者：羅曼 周楊 成田恬 孟雨欣 王奕錦 鮮佳赤 秦嘉怡 余晨輝

關(guān)鍵詞： 二維材料 六方氮化硼 材料特性 制備方法 光電子器件

機構(gòu)： 南通大學(xué)微電子學(xué)院（集成電路學(xué)院）

摘要： 六方氮化硼是一種具有寬帶隙和二維層狀結(jié)構(gòu)的代表性材料,擁有優(yōu)異的物理化學(xué)穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等獨特特性。其表面原子級平整、無懸掛鍵和帶電雜質(zhì),被公認為是作為其它低維材料襯底的理想選擇。另一方面,六方氮化硼對深紫外波段的強吸收和中紅外波段的雙曲特性,使其成為了制備高性能深紫外和中紅外探測器的重要材料。本文首先介紹了六方氮化硼的晶體結(jié)構(gòu)和材料特性,然后將材料制備方法分為“自上而下”和“自下而上”兩類,系統(tǒng)闡述了六方氮化硼的制備現(xiàn)狀,接著從襯底/介質(zhì)層/鈍化層、隧穿層和吸收層三方面重點回顧了六方氮化硼在光電子器件領(lǐng)域的研究進展。最后,基于六方氮化硼的研究現(xiàn)狀,分析了其所面臨的一些挑戰(zhàn)和機遇。