基于多孔硅支架的鈦鋯釩非蒸散型吸氣劑薄膜的制備及表征

編號：NMJS09221

篇名：基于多孔硅支架的鈦鋯釩非蒸散型吸氣劑薄膜的制備及表征

作者：李宇龍 李偉 王賢藝 曹青

關(guān)鍵詞： 非蒸散型吸氣劑薄膜 多孔硅支架 鈦鋯釩 吸氣性能

機構(gòu)： 合肥工業(yè)大學機械工程學院

摘要： 非蒸散型吸氣劑薄膜近年以來在真空領(lǐng)域受到廣泛的研究與應用,但有限的吸氣速率和吸氣容量阻礙了其進一步的發(fā)展。文章使用雙槽電化學腐蝕法制備了多孔硅支架,再經(jīng)過直流磁控濺射沉積了非蒸散型鈦鋯釩吸氣劑薄膜,獲得三維結(jié)構(gòu)薄膜吸氣劑。通過高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡、熱重分析、真空吸氫測試分別對薄膜的形貌和吸氣性能進行了研究。吸氫性能測試結(jié)果表明,沉積在硅片與多孔硅支架上的400 nm厚度的薄膜,最大吸氣速率分別為0.035 L·s-1·cm2和0.100 L·s-1·cm-2,提升了185.71%;吸氣容量分別為0.143 Pa·L·cm-2和0.353 Pa·L·cm-2,提升了146.85%。將薄膜沉積在多孔硅支架上,提高了吸氣劑的比表面積和孔隙率,增大了氣體分子與吸氣劑表面的接觸面積,促進了吸氣劑對氣體分子的表面吸附和擴散作用,有效的增強了非蒸散型吸氣劑薄膜的吸氣性能。